BSI CMOS

CMOS snímač se zpětným osvětlením, zkráceně BSI CMOS (z ang. BackSide-Illumination). Jde o technologii upravující stávající způsob výroby fotocitlivých CMOS čipů. Ve standardních CMOS čipech je totiž fotocitlivá vrstva uložena až za tranzistory a kovovými obvody. To způsobuje, že na fotocitlivou vrstvu dopadá méně světla, což zapříčinilo jejich vytlačení CCD čipy.

Struktura BSI CMOS čipu, kde je oproti klasickému CMOS fotocitlivá vrstva přesunuta před tranzistory a kovové obvody

Vlastnosti

Tato technologie posouvá tranzistory a kovové obvody za fotocitlivou vrstvu, což řádově zlepšilo citlivost snímače. První funkční čip byl vytvořen v roce 2007 firmou OmniVision Technologies, nebyl však masově rozšířen z důvodu technologické náročnosti výroby a vysoké ceně. Avšak v roce 2009 přišla Sony s čipem Exmor R, který rozšířila ve svých produktech, následoval i Apple, který dal do fotoaparátu svého iPhone 4 BSI CMOS čip od OmniVision Technologies. Čipy BSI CMOS dnes používají prakticky všichni výrobci fotoaparátů a vytlačily dříve masově rozšířené CCD.

Výhody
  • Vysoká citlivost snímače
  • Levnější a jednodušší výroba než u CCD
  • Čip je velmi rychlý
  • Malý rozměr
  • Nižší spotřeba

Nevýhody
  • Zpětné osvětlení může způsobit vyšší šum
  • „Temný proud“ (obvodem protéká proud i když není snímač osvětlen)

Související články
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.