TSMC

Roku 2005 firma žalovala čínského výrobce čipů Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC) pro krádež duševního vlastnictví a soudy jí přiznaly urovnání ve výši 175 mil. dolarů. Další žalobu na stejnou čínskou firmu řešily soudy roku 2009 a uznaly oprávněnost 61 z celkových 65 nároků. TSMC přiznaly nárok na odškodnění ve výši 200 mil. dolarů a právo na 10 % podílu z vydaných akcií SMIC. Roku 2020 obvinily USA firmu SMIC ze spolupráce s Čínskou lidovou armádou a uvalily na ni sankce.[3]

Roku 2019 soudy řešily vzájemné spory s americkou firmou GlobalFoundries, která původně žalovala TSMC pro porušení patentového práva a vzápětí byla ze strany TSMC žalována pro porušení jejích 25 patentů. V říjnu 2019 obě firmy uzavřely dohodu o vzájemném sdílení svých patentů.

TSMC nabízí široké portfolio možných výrobních procesů pro své zákazníky. Od zastaralých mikrometrových procesů až po moderní vysoce pokročilé procesy jako 7nm s technologií EUV či 5nm proces. Důležitou roli při výrobě čipů s velkou hustotou až 100 milionů tranzistorů na milimetr čtvereční hrají vysoce výkonné laserové zesilovače TRUMPF, produkující extrémně ultrafialové záření (EUV) pro osvěcování waferu. [4] Společnost TSMC od roku 2018 začala používat ve velkém litografii pro výrobu 7 nm (N7) čipů a zvýšila výrobní kapacitu na čtyřnásobek. V roce 2021 již bude polovina vyrobených čipů s technologií 6 nm (N6). Roku 2020 již byla zahájena sérová výroba 5 nm čipů (N5), které mají oproti N7 o 80 % vyšší denzitu, ale také o 15 % vyšší výkon, nebo 30 % nižší spotřebu.

Ve druhé polovině roku 2022 se má zahájit sériová výroba 3nm čipů. Generace N3 slibuje o 70 % vyšší denzitu a o 15 % vyšší výkon, nebo o 30 % nižší spotřebu než N5.[5]

TSMC zároveň ve spolupráci s partnery a vědeckými týmy z různých univerzit (NTU, MIT) vyvinulo jednu z klíčových technologií pro 1nm výrobu, která by mohla být zahájena kolem roku 2025.[6]

• • 0.13 μm (options: general-purpose (G), low-power (LP), high-performance low-voltage (LV)).
  • 90 nm (based upon 80GC from Q4/2006),
  • 65 nm (options: general-purpose (GP), low-power (LP), ultra-low power (ULP), LPG).
  • 55 nm (options: general-purpose (GP), low-power (LP)).
  • 40 nm (options: general-purpose (GP), low-power (LP), ultra-low power (ULP)).
  • 28 nm (options: high-performance (HP), high-performance mobile (HPM), high-performance computing (HPC), high-performance low-power (HPL), low-power (LP), high-performance computing Plus (HPC+), ultra-low power (ULP)) with HKMG.
  • 22 nm (options: ultra-low power (ULP), ultra-low leakage (ULL))
  • 20 nm
  • 16 nm (options: FinFET (FF), FinFET Plus (FF+), FinFET Compact (FFC))
  • 12 nm (options: FinFET Compact (FFC), FinFET NVIDIA (FFN)), enhanced version of 16 nm process.
  • 10 nm (options: FinFET (FF))
  • 7 nm (options: FinFET (FF), FinFET Plus (FF+), FinFET Pro (FFP), high-performance computing (HPC))
  • 6 nm (options: FinFET (FF)), enhanced version of 7 nm process.
  • 5 nm (options: FinFET (FF)).

Následující tabulka zaznamenává roční příjmy společnosti v letech 1997-2020.[7]