Optické jevy v polovodičích

Fotoelektrický jev je vznik volných nosičů při interakci hmoty a záření. Dělí se na :

• Vnější — elektron opustí krystal polovodiče
• Vnitřní — elektron zůstane uvnitř polovodičového krystalu.

Fotoelektrická vodivost je rozdíl konduktivity za světla a za tmy.

${\displaystyle \Delta \sigma =\sigma _{0}-\sigma _{T}=q(\Delta N_{n}b_{n}+\Delta N_{p}b_{p})\,\!}$

Elektroluminiscence je děj, při němž elektrony přeskakují z vyšší energetické hladiny do nižší, což vyvolá vznik elektromagnetického záření. Platí zákon zachování energie a zákon zachování hybnosti rekombinujících elektronů.

• Přímá mezipásmová rekombinace — přeskok elektronu z minima vodivostního pásu do maxima valenčního pásu. Frekvence emitovaného záření je dána vztahem :

${\displaystyle v={\frac {E_{g}}{h}},v={\frac {c}{\lambda }}}$

• Rekombinace prostřednictvím příměsových center

${\displaystyle v={\frac {E_{g}-\Delta E_{A,D}}{h}}}$

• Rekombinace spojená se zánikem excitonu

${\displaystyle v={\frac {E_{g}-E_{ex}}{h}},v={\frac {c}{\lambda }}}$