22 nanometrů

Dne 18. srpna 2008, společnosti: AMD, Freescale, IBM, STMicroelectronics, Toshiba a Vysoká škola vědy a nanotechnologie (College of Nanoscale Science and Engineering) oznámily, že společně budou vyvíjet a vyrábět buňky SRAM s 22 nm technologií, postavenou na tradičním designu šestitranzistorového 300 milimetrového Waferu, který má velikost paměťových buněk jen 0,1 μm².[1] Článek buňky byl vyroben pomocí ponořené litografie.[2]

Uzel o velikosti 22 nm by mohlo být prvně, kdy délka brány nemusela být nutně menší, než je označení technologie uzlu. Například délka brány 25 nm, je typická pro uzel 22 nm.

Dne 2. září 2009, během Intel Developer Forum podzim 2009, Intel ukázal 22 nm Wafer a oznámil, že čipy s 22 nm technologií budou k dispozici v druhé polovině roku 2011.[3] Nejmenší oznámená velikost SRAM buněk by měla být 0,092μm².

Dne 3. ledna 2010, firmy Intel a Micron Technology oznámily, že jako první v rodině 25 nm bude NAND zařízení.

Dne 2. května 2011, Intel oznámil svůj první 22 nm mikroprocesor, s kódovým označením Ivy Bridge, s použitím technologie zvané 3-D Tri-Gate.[4]

POWER8 procesory se mohou vyrábět v SOI procesu 22 nm.[5]

Dne 31. srpna 2010, Toshiba oznámila, že doručí 24 nm zařízení s NAND flash paměti.[6]

V roce 2010, firma Hynix Semiconductor oznámila, že bude používat výrobní proces 26 nm pro flash zařízení s 64 Gbit kapacitou; Intel Corp. a Micron Technology by pak měly vyvinout technologii samy.[7]

Dne 23. dubna 2012 se pokračovalo v prodeji procesorů Intel Core i7 a Intel Core i5 založené na Intel Ivy Bridge 22 nm technologii pro řadu 7 čipset. Obchodovalo se po celém světě[8]. Objem výroby 22 nm procesorů začal o více než šest měsíců dříve, jak 19. října 2011 potvrdil bývalý CEO Intelu Paul Otellini.[9]

Dne 3. června 2013, Intel začal dodávat procesory Intel Core i7 a Intel Core i5 založené na Intel Haswell mikroarchitektuře ve 22 nm technologii pro osmou sérii čipových sad.[10]

V tomto článku byl použit překlad textu z článku 32 nm process na anglické Wikipedii.